CJU4828 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJU4828
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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CJU4828 Datasheet (PDF)
cju4828.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU4828 N-Channel MOSFET TO-252-2L DESCRIPTION The CJU4828 uses advanced trench technology to provide excellent 1. GATE 2. DRAIN RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch 3. SOURCE or in PWM applications. Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise
Otros transistores... CJU03N80 , CJU04N60 , CJU04N60A , CJU04N65 , CJU04N65A , CJU05N60 , CJU05N60B , CJU10N10 , P55NF06 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , CTLDM304P-M832DS , CTLDM3590 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H .
History: AON7536 | LBSS139DW1T1G | PD616BA | LBSS138WT1G | HSF10N65 | PD608BA | HSH15810
History: AON7536 | LBSS139DW1T1G | PD616BA | LBSS138WT1G | HSF10N65 | PD608BA | HSH15810



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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