CJU4828 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CJU4828 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CJU4828
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJU4828 даташит
cju4828.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU4828 N-Channel MOSFET TO-252-2L DESCRIPTION The CJU4828 uses advanced trench technology to provide excellent 1. GATE 2. DRAIN RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch 3. SOURCE or in PWM applications. Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise
Другие IGBT... CJU03N80, CJU04N60, CJU04N60A, CJU04N65, CJU04N65A, CJU05N60, CJU05N60B, CJU10N10, IRF3710, CJV01N60, CJV01N65B, CJW1012, CTLDM303N-M832DS, CTLDM304P-M832DS, CTLDM3590, CTLDM7002A-M621, CTLDM7002A-M621H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor

