SDF9NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF9NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de SDF9NA80 MOSFET
SDF9NA80 Datasheet (PDF)
Otros transistores... SDF9N100JEB-U , SDF9N100JEC-D , SDF9N100JEC-S , SDF9N100JEC-U , SDF9N100JED-D , SDF9N100JED-S , SDF9N100JED-U , SDF9N100SXH , 2N7002 , SDFC30JAA , SDFC30JAB , SDFC40 , SDFE22JAA , SDFE22JAB , SFF9140 , SFF9240 , SFF9244 .
History: SDFC30JAA | HY3007P | 2SJ501 | APT6025BVFR | IRFBA1404PPBF | SVG105R4NKL | AP18T10GI
History: SDFC30JAA | HY3007P | 2SJ501 | APT6025BVFR | IRFBA1404PPBF | SVG105R4NKL | AP18T10GI
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