SDF9NA80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SDF9NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF9NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9NA80 даташит

 ..1. Size:161K  solitron
 sdf9na80.pdf pdf_icon

SDF9NA80

 9.1. Size:162K  solitron
 sdf9n100.pdf pdf_icon

SDF9NA80

 9.2. Size:159K  solitron
 sdf9n100gaf.pdf pdf_icon

SDF9NA80

 9.3. Size:57K  solitron
 sdf9n100sxh.pdf pdf_icon

SDF9NA80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDF9N100JEB-U, SDF9N100JEC-D, SDF9N100JEC-S, SDF9N100JEC-U, SDF9N100JED-D, SDF9N100JED-S, SDF9N100JED-U, SDF9N100SXH, 2N7002, SDFC30JAA, SDFC30JAB, SDFC40, SDFE22JAA, SDFE22JAB, SFF9140, SFF9240, SFF9244