SDF9NA80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SDF9NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 88(max) nC
   Время нарастания (tr): 36(max) ns
   Выходная емкость (Cd): 370 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO254

Другие MOSFET... SDF9N100JEB-U , SDF9N100JEC-D , SDF9N100JEC-S , SDF9N100JEC-U , SDF9N100JED-D , SDF9N100JED-S , SDF9N100JED-U , SDF9N100SXH , 18N50 , SDFC30JAA , SDFC30JAB , SDFC40 , SDFE22JAA , SDFE22JAB , SFF9140 , SFF9240 , SFF9244 .