CTM02N60 Todos los transistores

 

CTM02N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTM02N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F TO-252 TO-251

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CTM02N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  crownpo
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CTM02N60

CTM02N60 CTM02N60 Crownpo Technology Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Robust High Voltage Termination This high voltage MOSFET uses an advanced termination Avalanche Energy Specified scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a without degrading performance over time. In addition,

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History: CTM14N50 | P4402FAG

 

 
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