CTM06N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTM06N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTM06N60

CTM06N60 Datasheet (PDF)

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ctm06n60.pdf

CTM06N60CTM06N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,

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Liste

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