Справочник MOSFET. CTM06N60

 

CTM06N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTM06N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для CTM06N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTM06N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  crownpo
 ctm06n60.pdf pdf_icon

CTM06N60

CTM06N60CTM06N60Crownpo TechnologyCrownpo TechnologyPower MOSFETFeatures General DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition,

Другие MOSFET... CTLDM8002A-M621H , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , RFP50N06 , CTM07N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 .

History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.