CTM07N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTM07N60 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
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CTM07N60 datasheet
ctm07n60.pdf
CTM07N60 Crownpo Technology Power MOSFET Features General Description Robust High Voltage Termination This high voltage MOSFET uses an advanced termination Avalanche Energy Specified scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a without degrading performance over time. In addition, this Discrete Fast Recovery
Otros transistores... CTLDM8120-M621H, CTLDM8120-M832D, CTLM7110-M832D, CTLM8110-M832D, CTM01N60, CTM02N60, CTM04N60, CTM06N60, 12N60, CTM08N50, CTM09N20, CTM14N50, CTM18N20, CTM2N7002, CTN2302, CTN2304, CTP2303
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