CTM07N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CTM07N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для CTM07N60
CTM07N60 Datasheet (PDF)
ctm07n60.pdf

CTM07N60Crownpo TechnologyPower MOSFETFeaturesGeneral DescriptionRobust High Voltage TerminationThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationAvalanche Energy Specifiedscheme to provide enhanced voltage-blocking capabilitySource-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to awithout degrading performance over time. In addition, thisDiscrete Fast Recovery
Другие MOSFET... CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 , 4N60 , CTM08N50 , CTM09N20 , CTM14N50 , CTM18N20 , CTM2N7002 , CTN2302 , CTN2304 , CTP2303 .
History: YJL2301F | CTM18N20 | RU30S4H | SVF10N65F | BSC030P03NS3G | AP9467AGH | 4N60G-TM3-T
History: YJL2301F | CTM18N20 | RU30S4H | SVF10N65F | BSC030P03NS3G | AP9467AGH | 4N60G-TM3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970