CXDM4060P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CXDM4060P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 6.5 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 56 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CXDM4060P
CXDM4060P Datasheet (PDF)
cxdm4060p.pdf
CXDM4060PSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is aMOSFEThigh current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge.MARKING: FULL PART NUMBER
cxdm4060n.pdf
CXDM4060NSURFACE MOUNT SILICONwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is aMOSFEThigh current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier anddriver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.MARKING: FULL PART NUMBER
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
