CXDM4060P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXDM4060P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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CXDM4060P datasheet

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CXDM4060P

CXDM4060P SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060P is a MOSFET high current silicon P-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET features high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. MARKING FULL PART NUMBER

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CXDM4060P

CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N is a MOSFET high current silicon N-Channel enhancement-mode MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current. MARKING FULL PART NUMBER

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