DE150-201N09A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DE150-201N09A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DE150

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DE150-201N09A

DE150-201N09A Datasheet (PDF)

..1. Size:144K ixys
de150-201n09a.pdf

DE150-201N09A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 200 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 15 A Ideal for Class C, D, & E Applications RDS(on) 0.2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 200 W TJ = 25C to 150C VDSS 200 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 200 V Continuous VGS 20 V Transi

8.1. Size:160K ixys
de150-102n02a.pdf

DE150-102N02A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 1000 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 2 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) = 7.8 TJ = 25C to 150C PDC = 200W VDSS 1000 VTJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 VTransient VGSM 30 VTc = 25C ID25 2 ATc = 25C, pulse w

8.2. Size:144K ixys
de150-101n09a.pdf

DE150-101N09A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 100 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 9.0 A Ideal for Class C, D, & E Applications RDS(on) 0.16 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 200 W TJ = 25C to 150C VDSS 100 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 100 V Continuous VGS 20 V Tran

8.3. Size:142K ixys
de150-501n04a.pdf

DE150-501N04A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 500 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 4.5 A RDS(on) 1.5 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 200W TJ = 25C to 150C VDSS 500 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transient VGSM 30 V Tc = 25C ID25 4.5 A

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CTP10P095

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: