DE375-501N21A Todos los transistores

 

DE375-501N21A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DE375-501N21A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 940 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: DE375
 

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DE375-501N21A Datasheet (PDF)

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DE375-501N21A

DE375-501N21A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 500 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 25 A 50MHz Maximum Frequency RDS(on) = 0.35 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 940 W TJ = 25C to 150C VDSS 500 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Tr

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DE375-501N21A

DE375-102N12A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt VDSS = 1000 V Nanosecond Switching ID25 = 12 A 50MHz Maximum Frequency RDS(on) 1.05 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C PDC = 940 W VDSS 1000 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V Transient VGSM

 8.2. Size:141K  ixys
 de375-102n10a.pdf pdf_icon

DE375-501N21A

DE375-102N10A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 1000 V High dv/dt Nanosecond Switching ID25 = 10 A Ideal for Class C, D, & E Applications RDS(on) 1.2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 940 W TJ = 25C to 150C VDSS 1000 V TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V Tra

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