DI9430T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DI9430T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DI9430T datasheet

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DI9430T

DI9430 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current Capability SO-8 A Fast Switching Speed Dim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5 A 3.94 4.19 B 3.20 3.40 TOP H B VIEW C 0.381 0.495 D 2.67 3.05 1 2 3 4 E 0.89 1.02 G C G 0.527 0.679 E J 0.41 Nominal J D K 0

 9.1. Size:73K  diodes
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DI9430T

DI9435 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current Capability SO-8 A Fast Switching Speed Dim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5 A 3.94 4.19 B 3.20 3.40 TOP H B VIEW C 0.381 0.495 D 2.67 3.05 1 2 3 4 E 0.89 1.02 G C G 0.527 0.679 E J 0.41 Nominal J D K 0.

Otros transistores... DE375-102N10A, DE375-102N12A, DE375-501N21A, DE475-102N20A, DE475-102N21A, DE475-501N44A, DI9400T, DI9405, IRF9640, DI9435T, DK48N18, DK48N75, DK48N78, DK48N80, DK48N88, DK64N90, DK64N90B