DI9430T Todos los transistores

 

DI9430T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DI9430T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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DI9430T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  diodes
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DI9430T

DI9430SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0

 9.1. Size:73K  diodes
 di9435t.pdf pdf_icon

DI9430T

DI9435SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0.

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History: FDU6688 | LSB55R050GT | CJAC75SN10 | UPA1950 | HM10P10D

 

 
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