DI9430T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DI9430T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DI9430T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DI9430T даташит

 ..1. Size:74K  diodes
 di9430t.pdf pdf_icon

DI9430T

DI9430 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current Capability SO-8 A Fast Switching Speed Dim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5 A 3.94 4.19 B 3.20 3.40 TOP H B VIEW C 0.381 0.495 D 2.67 3.05 1 2 3 4 E 0.89 1.02 G C G 0.527 0.679 E J 0.41 Nominal J D K 0

 9.1. Size:73K  diodes
 di9435t.pdf pdf_icon

DI9430T

DI9435 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current Capability SO-8 A Fast Switching Speed Dim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5 A 3.94 4.19 B 3.20 3.40 TOP H B VIEW C 0.381 0.495 D 2.67 3.05 1 2 3 4 E 0.89 1.02 G C G 0.527 0.679 E J 0.41 Nominal J D K 0.

Другие IGBT... DE375-102N10A, DE375-102N12A, DE375-501N21A, DE475-102N20A, DE475-102N21A, DE475-501N44A, DI9400T, DI9405, IRF9640, DI9435T, DK48N18, DK48N75, DK48N78, DK48N80, DK48N88, DK64N90, DK64N90B