Справочник MOSFET. DI9430T

 

DI9430T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DI9430T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для DI9430T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DI9430T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  diodes
 di9430t.pdf pdf_icon

DI9430T

DI9430SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0

 9.1. Size:73K  diodes
 di9435t.pdf pdf_icon

DI9430T

DI9435SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEFIELD EFFECT TRANSISTORFeatures High Cell Density DMOS Technology Low On-State Resistance High Power and Current CapabilitySO-8A Fast Switching SpeedDim Min Max High Transient Tolerance 8 7 6 5A 3.94 4.19B 3.20 3.40TOPH BVIEWC 0.381 0.495D 2.67 3.051 2 3 4E 0.89 1.02GC G 0.527 0.679EJ 0.41 NominalJDK 0.

Другие MOSFET... DE375-102N10A , DE375-102N12A , DE375-501N21A , DE475-102N20A , DE475-102N21A , DE475-501N44A , DI9400T , DI9405 , AON7403 , DI9435T , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , DK64N90 , DK64N90B .

History: CHT2301WGP | DMP4047SSD | AM7304N | NCEP6060GU | PMZ1000UN | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.