DK64N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK64N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de DK64N90 MOSFET
DK64N90 Datasheet (PDF)
dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G
Otros transistores... DI9405 , DI9430T , DI9435T , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , HY1906P , DK64N90B , DK64N90F , DKI03038 , DKI03062 , DKI03082 , DKI04035 , DKI04046 , DKI04077 .
History: NCE0102M | WMJ80R480S | NCE0102Z | WML53N65C4 | BSC100N03MSG | MS65R120GE | AONS32100
History: NCE0102M | WMJ80R480S | NCE0102Z | WML53N65C4 | BSC100N03MSG | MS65R120GE | AONS32100



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416