DK64N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK64N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de DK64N90 MOSFET
DK64N90 Datasheet (PDF)
dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G
Otros transistores... DI9405 , DI9430T , DI9435T , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , HY1906P , DK64N90B , DK64N90F , DKI03038 , DKI03062 , DKI03082 , DKI04035 , DKI04046 , DKI04077 .
History: PE561BA | 2SK2125 | PMZ390UNE | 2SK1723 | RQK0609CQDQS | PSMN9R5-100BS | TPU65R600M
History: PE561BA | 2SK2125 | PMZ390UNE | 2SK1723 | RQK0609CQDQS | PSMN9R5-100BS | TPU65R600M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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