DK64N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

DK64N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DK64N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для DK64N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DK64N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  thinkisemi
 dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf pdf_icon

DK64N90

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G

Другие MOSFET... DI9405 , DI9430T , DI9435T , DK48N18 , DK48N75 , DK48N78 , DK48N80 , DK48N88 , HY1906P , DK64N90B , DK64N90F , DKI03038 , DKI03062 , DKI03082 , DKI04035 , DKI04046 , DKI04077 .

History: IRFP250PBF | BSO204P | IXTH10N60A | PPMUT20V3 | WMJ53N60C4 | G2503 | STD13N60DM2

 

 
Back to Top

 


 
.