DK64N90F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK64N90F 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00745 Ohm
Encapsulados: TO-220F
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de DK64N90F MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
DK64N90F datasheet
dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf
DK64N90 Pb DK64N90 Pb Free Plating Product N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistors General Description DK64N90 (TO-220 HeatSink) DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G
Otros transistores... DI9435T, DK48N18, DK48N75, DK48N78, DK48N80, DK48N88, DK64N90, DK64N90B, 60N06, DKI03038, DKI03062, DKI03082, DKI04035, DKI04046, DKI04077, DKI04103, DKI06075
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563
