Справочник MOSFET. DK64N90F

 

DK64N90F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DK64N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00745 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DK64N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  thinkisemi
 dk64n90f dk64n90 dk64n90b.pdf pdf_icon

DK64N90F

DK64N90 PbDK64N90Pb Free Plating ProductN-Channel Trench Process Power MOSFET TransistorsGeneral Description DK64N90(TO-220 HeatSink)DK64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEM3138

 

 
Back to Top

 


 
.