DKI04077 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DKI04077
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DKI04077
DKI04077 Datasheet (PDF)
dki04077.pdf
40 V, 47 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI04077 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 47 A D RDS(ON) ---------- 8.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.3 A) Qg ------- 7.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 29.6 A) Low Total Gat
dki04077.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DKI04077 FEATURES Drain Current I =47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
dki04035.pdf
40 V, 48 A, 3.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI04035 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 48 A D RDS(ON) ------------ 4.3 m max. (VGS = 10 V, ID = 51 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate
dki04046.pdf
40 V, 48 A, 4.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET DKI04046 Features Package TO-252 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) (4) ID ---------------------------------------------------------- 48 A D RDS(ON) ---------- 5.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 35.4 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate
Otros transistores... DK64N90 , DK64N90B , DK64N90F , DKI03038 , DKI03062 , DKI03082 , DKI04035 , DKI04046 , IRF740 , DKI04103 , DKI06075 , DKI06108 , DKI06186 , DKI06261 , DKI10299 , DKI10526 , DKI10751 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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