SFH9140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFH9140
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFH9140
SFH9140 Datasheet (PDF)
sfh9140.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -19 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V1 Lower RDS(ON) : 0.161 (Typ.)231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
sfh9154.pdf
SFH9154Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -150 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P 150oC Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -150V1 Lower RDS(ON) : 0.140 (Typ.)231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsol
sfh9154.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor SFH9154FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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Liste
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