SFH9140 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFH9140

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SFH9140 datasheet

 ..1. Size:940K  samsung
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SFH9140

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -19 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V 1 Lower RDS(ON) 0.161 (Typ.) 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ra

 9.1. Size:231K  fairchild semi
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SFH9140

SFH9154 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -150 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 150oC Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -150V 1 Lower RDS(ON) 0.140 (Typ.) 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absol

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
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SFH9140

INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor SFH9154 FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Otros transistores... SDFC30JAB, SDFC40, SDFE22JAA, SDFE22JAB, SFF9140, SFF9240, SFF9244, SFH154, K4145, SFH9154, SFH9240, SFH9244, SFI2955, SFI9510, SFI9520, SFI9530, SFI9610