DMC2990UDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMC2990UDJ
Código: D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 0.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.99 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-963
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMC2990UDJ
DMC2990UDJ Datasheet (PDF)
dmc2990udj.pdf
DMC2990UDJCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance 0.99 @ VGS = 4.5V 450mA Fast Switching Speed Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm 1.2 @ VGS = 2.5V 400mA Q1 20V Low P
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AP60SL600AJ | AP4953M
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