DMC2990UDJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMC2990UDJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.99 Ohm

Тип корпуса: SOT-963

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMC2990UDJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMC2990UDJ даташит

 ..1. Size:250K  diodes
 dmc2990udj.pdf pdf_icon

DMC2990UDJ

DMC2990UDJ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance Device V(BR)DSS RDS(ON) max Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance 0.99 @ VGS = 4.5V 450mA Fast Switching Speed Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm 1.2 @ VGS = 2.5V 400mA Q1 20V Low P

Другие IGBT... DMC1030UFDB, DMC1229UFDB, DMC2038LVT, DMC2041UFDB, DMC2400UV, DMC25D0UVT, DMC25D1UVT, DMC2700UDM, 8205A, DMC3016LSD, DMC3025LSD, DMC3028LSDX, DMC31D5UDJ, DMC3400SDW, DMC4015SSD, DMC4029SSD, DMC4047LSD