DMC2990UDJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMC2990UDJ
Маркировка: D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.99 Ohm
Тип корпуса: SOT-963
Аналог (замена) для DMC2990UDJ
DMC2990UDJ Datasheet (PDF)
dmc2990udj.pdf
DMC2990UDJCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance 0.99 @ VGS = 4.5V 450mA Fast Switching Speed Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm 1.2 @ VGS = 2.5V 400mA Q1 20V Low P
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918