SFH9154 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFH9154
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 204 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 100 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFH9154
SFH9154 Datasheet (PDF)
sfh9154.pdf
SFH9154Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -150 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P 150oC Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -150V1 Lower RDS(ON) : 0.140 (Typ.)231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsol
sfh9154.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor SFH9154FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
sfh9140.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -19 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V1 Lower RDS(ON) : 0.161 (Typ.)231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ra
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
