DMG1029SV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMG1029SV
   Código: GA1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.45 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.36 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 0.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.2 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG1029SV

DMG1029SV Datasheet (PDF)

..1. Size:228K diodes
dmg1029sv.pdf

DMG1029SVCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 1.7 @ VGS = 10V 500mA Fast Switching Speed Q1 60V Ultra-Small Surface Mount Package 3 @ VGS = 4.5V 400mA Totally Lead-Free & Fully RoHS comp

8.1. Size:159K diodes
dmg1024uv.pdf

DMG1024UVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal Connections: S

8.2. Size:230K diodes
dmg1026uv.pdf

DMG1026UVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 1.8 @ VGS = 10V 440mA 60V Low Input/Output Leakage 2.1 @ VGS = 4.5V 410mA Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (No

8.3. Size:133K diodes
dmg1023uv.pdf

DMG1023UVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal Connections: S

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Liste

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