DMG301NU Todos los transistores

 

DMG301NU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG301NU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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DMG301NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  diodes
 dmg301nu.pdf pdf_icon

DMG301NU

DMG301NU 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 4 @ VGS = 4.5V 0.26A 25V Low Input Capacitance 5 @ VGS = 2.7V 0.23A Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) Totally Lead

 9.1. Size:279K  diodes
 dmg302pu.pdf pdf_icon

DMG301NU

DMG302PU25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Gate Threshold Voltage 10 @ VGS = -4.5V -0.17A -25V Low Input Capacitance 13 @ VGS = -2.7V -0.15A Fast Switching Speed Small Surfaced Mount Package Description ESD Protected Gate (>6kV Human Body Model) This new

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History: 2SK2576 | TPA60R150C | SPI11N60C3 | IPA083N10N5 | CTLDM7120-M621 | HGB019NE6A

 

 
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