DMG3402L Todos los transistores

 

DMG3402L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMG3402L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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DMG3402L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  diodes
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DMG3402L

DMG3402L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 52m @ VGS = 10V 4A Fast Switching Speed 30V 65m @ VGS = 4.5V 3A Low Input/Output Leakage 85m @ VGS = 2.5V 2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

 8.1. Size:525K  diodes
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DMG3402L

 8.2. Size:617K  diodes
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DMG3402L

 8.3. Size:186K  diodes
 dmg3401lsn.pdf pdf_icon

DMG3402L

DMG3401LSN 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) max Low On-Resistance TA = 25 C Low Input/Output Leakage 50m @ VGS = -10V -3.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -30V 60m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 85m @ VGS =

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