DMG4812SSS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG4812SSS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SO-8

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DMG4812SSS datasheet

 ..1. Size:154K  diodes
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DMG4812SSS

DMG4812SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver V(BR)DSS RDS(on) TA = 25 C Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction 15m @ VGS= 10V 10

 9.1. Size:161K  diodes
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DMG4812SSS

 9.2. Size:237K  diodes
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DMG4812SSS

DMG4800LK3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case TO252-3L Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low Input Capacitance UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

 9.3. Size:143K  diodes
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DMG4812SSS

DMG4800LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D

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