SFI2955 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFI2955
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFI2955
SFI2955 Datasheet (PDF)
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SFW/I2955Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.22 (Typ.)112331. Gate 2. Drai
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