DMHC3025LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMHC3025LSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMHC3025LSD

DMHC3025LSD Datasheet (PDF)

..1. Size:355K diodes
dmhc3025lsd.pdf

DMHC3025LSD30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 25m @ VGS = 10V 6.0 N-Channel 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) 40m @ VGS = 4.5V 4.6

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: