DMHC3025LSD Todos los transistores

 

DMHC3025LSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMHC3025LSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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DMHC3025LSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  diodes
 dmhc3025lsd.pdf pdf_icon

DMHC3025LSD

DMHC3025LSD30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package ID max Low On-ResistanceDevice V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 25m @ VGS = 10V 6.0 N-Channel 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) 40m @ VGS = 4.5V 4.6

Otros transistores... DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , DMG9N65CTI , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , 13N50 , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT , DMN1025UFDB , DMN1029UFDB , DMN1032UCB4 .

History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
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