DMN15H310SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN15H310SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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DMN15H310SE datasheet

 ..1. Size:372K  diodes
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DMN15H310SE

DMN15H310SE 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(ON) max Fast Switching Speed TA = +25 C Low On-Resistance 310m @ VGS = 10V 2.0A 150V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 330m @ VGS = 5.0V 1.9A Halogen and Antimony Free. Green D

 4.1. Size:507K  diodes
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DMN15H310SE

DMN15H310SK3 Green 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TC = +25 C density end products 310m @ VGS = 10V 8.3A 150V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 330m @ VGS = 5.0V 8.0A

 4.2. Size:265K  inchange semiconductor
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DMN15H310SE

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN15H310SK3 FEATURES Drain Current I = 8.3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 310m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

Otros transistores... DMN10H170SK3, DMN10H170SVT, DMN10H220L, DMN10H220LE, DMN10H220LVT, DMN1150UFB, DMN1260UFA, DMN13H750S, K2611, DMN2005UFG, DMN2011UFDE, DMN2011UFX, DMN2013UFDE, DMN2013UFX, DMN2014LHAB, DMN2015UFDE, DMN2016LFG