DMN2500UFB4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN2500UFB4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.81 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: X2-DFN1006-3

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DMN2500UFB4 datasheet

 ..1. Size:124K  diodes
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DMN2500UFB4

DMN2500UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max

 8.1. Size:570K  diodes
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DMN2500UFB4

DMN2501UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V Max. TA = +25 C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 4.5V 1.5A Fast Switching Speed 20V 0.5 @ VGS = 2.5V 1.3A Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 1.1A

 9.1. Size:278K  diodes
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DMN2500UFB4

DMN2550UFA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25 C 0.45 @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 0.55 @ VGS = 2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 20V 0.6 A 0.75 @ VG

 9.2. Size:279K  diodes
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DMN2500UFB4

DMN25D0UFA 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25 C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Low VGS(th), can be driven directly from a battery 4 @ VGS = 4.5V 0.32A 25V Low RDS(on) 5 @ VGS = 2.7V 0.28A ESD Protected Gate (>6kV Hu

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