DMN2500UFB4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2500UFB4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: X2-DFN1006-3

Аналог (замена) для DMN2500UFB4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2500UFB4 даташит

 ..1. Size:124K  diodes
 dmn2500ufb4.pdf pdf_icon

DMN2500UFB4

DMN2500UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max

 8.1. Size:570K  diodes
 dmn2501ufb4.pdf pdf_icon

DMN2500UFB4

DMN2501UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V Max. TA = +25 C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 4.5V 1.5A Fast Switching Speed 20V 0.5 @ VGS = 2.5V 1.3A Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 1.1A

 9.1. Size:278K  diodes
 dmn2550ufa.pdf pdf_icon

DMN2500UFB4

DMN2550UFA 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25 C 0.45 @ VGS = 4.5V Low On-Resistance 0.55 @ VGS = 2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 20V 0.6 A 0.75 @ VG

 9.2. Size:279K  diodes
 dmn25d0ufa.pdf pdf_icon

DMN2500UFB4

DMN25D0UFA 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25 C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Low VGS(th), can be driven directly from a battery 4 @ VGS = 4.5V 0.32A 25V Low RDS(on) 5 @ VGS = 2.7V 0.28A ESD Protected Gate (>6kV Hu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2250UFB, DMN2300UFD, DMN2300UFL4, DMN2320UFB4, DMN2400UFB, DMN2400UFD, DMN24H11DS, DMN24H3D5L, 2N7000, DMN2501UFB4, DMN2550UFA, DMN25D0UFA, DMN2990UFA, DMN2990UFZ, DMN3008SFG, DMN3010LFG, DMN3010LK3