DMN2501UFB4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMN2501UFB4
Código: TN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: X2-DFN1006-3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN2501UFB4
DMN2501UFB4 Datasheet (PDF)
dmn2501ufb4.pdf
DMN2501UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V Max. TA = +25C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 4.5V 1.5A Fast Switching Speed 20V 0.5 @ VGS = 2.5V 1.3A Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 1.1A
dmn2500ufb4.pdf
DMN2500UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max
dmn2550ufa.pdf
DMN2550UFA20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 0.48mm2 Package Footprint, 16 Times Smaller than SOT23 TA = +25C 0.45 @ VGS = 4.5V Low On-Resistance0.55 @ VGS = 2.5V Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max 20V 0.6 A 0.75 @ VG
dmn25d0ufa.pdf
DMN25D0UFA25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 0.4mm ultra low profile package for thin application V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C 0.48mm2 package footprint, 16 times smaller than SOT23 Low VGS(th), can be driven directly from a battery 4 @ VGS = 4.5V 0.32A 25V Low RDS(on) 5 @ VGS = 2.7V 0.28A ESD Protected Gate (>6kV Hu
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