DMN3033LSNQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN3033LSNQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-59

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN3033LSNQ

DMN3033LSNQ Datasheet (PDF)

..1. Size:397K diodes
dmn3033lsnq.pdf

DMN3033LSNQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Gate Charge ID BVDSS RDS(on) max Low RDS(ON) TA = +25C Low Input/Output Leakage 6A 30m @ VGS = 10V 30V 40m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standa

4.1. Size:130K diodes
dmn3033lsn.pdf

DMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS =

4.2. Size:75K tysemi
dmn3033lsn.pdf

Product specificationDMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS = 4.5V Terminals: Finish Matte

4.3. Size:836K cn vbsemi
dmn3033lsn.pdf

DMN3033LSNwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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