Справочник MOSFET. DMN3033LSNQ

 

DMN3033LSNQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3033LSNQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC-59
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3033LSNQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  diodes
dmn3033lsnq.pdfpdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSNQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Gate Charge ID BVDSS RDS(on) max Low RDS(ON) TA = +25C Low Input/Output Leakage 6A 30m @ VGS = 10V 30V 40m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standa

 4.1. Size:130K  diodes
dmn3033lsn.pdfpdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS =

 4.2. Size:75K  tysemi
dmn3033lsn.pdfpdf_icon

DMN3033LSNQ

Product specificationDMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS = 4.5V Terminals: Finish Matte

 4.3. Size:836K  cn vbsemi
dmn3033lsn.pdfpdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSNwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI7489DP | BF964S | FMW47N60S1HF | BSC032N03SG | SM3023NSU | SE18NS65A | 2SK2171

 

 
Back to Top

 


 
.