DMN3033LSNQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3033LSNQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SC-59

Аналог (замена) для DMN3033LSNQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3033LSNQ даташит

 ..1. Size:397K  diodes
 dmn3033lsnq.pdf pdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSNQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Gate Charge ID BVDSS RDS(on) max Low RDS(ON) TA = +25 C Low Input/Output Leakage 6A 30m @ VGS = 10V 30V 40m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standa

 4.1. Size:130K  diodes
 dmn3033lsn.pdf pdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low Gate Charge Case SC-59 Low RDS(ON) Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS =

 4.2. Size:75K  tysemi
 dmn3033lsn.pdf pdf_icon

DMN3033LSNQ

Product specification DMN3033LSN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low Gate Charge Case SC-59 Low RDS(ON) Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS = 4.5V Terminals Finish Matte

 4.3. Size:836K  cn vbsemi
 dmn3033lsn.pdf pdf_icon

DMN3033LSNQ

DMN3033LSN www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN3018SSS-13, DMN3024SFG, DMN3025LFG, DMN3025LSS, DMN3026LVT, DMN3029LFG, DMN3030LFG, DMN3032LE, IRF1010E, DMN3035LWN, DMN3042L, DMN3050S-7, DMN3053L, DMN3065LW, DMN3067LW, DMN3070SSN, DMN30H14DLY