DMN3033LSNQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN3033LSNQ
Маркировка: A5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SC-59
Аналог (замена) для DMN3033LSNQ
DMN3033LSNQ Datasheet (PDF)
dmn3033lsnq.pdf
DMN3033LSNQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Gate Charge ID BVDSS RDS(on) max Low RDS(ON) TA = +25C Low Input/Output Leakage 6A 30m @ VGS = 10V 30V 40m @ VGS = 4.5V 4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standa
dmn3033lsn.pdf
DMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS =
dmn3033lsn.pdf
Product specificationDMN3033LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low Gate Charge Case: SC-59 Low RDS(ON): Case Material - Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 30 m @VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 40 m @VGS = 4.5V Terminals: Finish Matte
dmn3033lsn.pdf
DMN3033LSNwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918