DMN33D8LV Todos los transistores

 

DMN33D8LV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN33D8LV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

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DMN33D8LV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  diodes
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DMN33D8LV

DMN33D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 6.1. Size:284K  diodes
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DMN33D8LV

DMN33D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 250 mA ESD Protected Gate to 2kV 30V 5 @ VGS = 4.0V 200 mA Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 7 @ VGS = 2.5V 100 mA

 6.2. Size:265K  diodes
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DMN33D8LV

DMN33D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

 6.3. Size:247K  diodes
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DMN33D8LV

DMN33D8LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance5 @ VGS = 4V 200 mA Low Input Capacitance 30V 7 @ VGS = 2.5V 115 mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

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History: BL6N120-A | SI8810 | IRFPE30PBF | STD10PF06-1 | PM557BA | CEDM7001VL | CED12N10L

 

 
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