Справочник MOSFET. DMN33D8LV

 

DMN33D8LV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN33D8LV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для DMN33D8LV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN33D8LV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  diodes
dmn33d8lv.pdfpdf_icon

DMN33D8LV

DMN33D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 6.1. Size:284K  diodes
dmn33d8ldw.pdfpdf_icon

DMN33D8LV

DMN33D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 250 mA ESD Protected Gate to 2kV 30V 5 @ VGS = 4.0V 200 mA Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 7 @ VGS = 2.5V 100 mA

 6.2. Size:265K  diodes
dmn33d8l.pdfpdf_icon

DMN33D8LV

DMN33D8LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

 6.3. Size:247K  diodes
dmn33d8lt.pdfpdf_icon

DMN33D8LV

DMN33D8LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance5 @ VGS = 4V 200 mA Low Input Capacitance 30V 7 @ VGS = 2.5V 115 mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Description ESD Protected Gate 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

Другие MOSFET... DMN3135LVT , DMN313DLT , DMN3190LDW , DMN31D5UFZ , DMN32D4SDW , DMN33D8L , DMN33D8LDW , DMN33D8LT , IRFZ46N , DMN3730UFB-7 , DMN3900UFA , DMN4008LFG , DMN4010LFG , DMN4010LK3 , DMN4020LFDE , DMN4026SK3 , DMN4026SSD .

History: AP50WN1K5I | IXTQ32P20T | STL2N80K5 | NVMFS5C638NL | SE4435 | AP9916GH | YJJ09N03A

 

 
Back to Top

 


 
.