DMN3730UFB-7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMN3730UFB-7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.91 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.1 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
Encapsulados: DFN1006-3
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DMN3730UFB-7 datasheet
dmn3730ufb4.pdf
DMN3730UFB4 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 0.4mm ultra low profile package for thin application ID 0.6mm2 package footprint, 10 times smaller than SOT23 V(BR)DSS RDS(on) TA = 25 C Low VGS(th), can be driven directly from a battery Low RDS(on) 460m @ VGS= 4.5V 0.9A 30V Lead Free , RoHS Compliant (Note
dmn3730u.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated DMN3730U 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 Product Summary Features and Benefits ID Max (Note 5) Low VGS(th), can be driven directly from a battery V(BR)DSS Max RDS(on) Low RDS(on) TA = 25 C Lead Free , RoHS Compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 460m @ VGS= 4.5V 0.94A 30
dmn3730u.pdf
Product specification DMN3730U 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 Product Summary Features and Benefits Low VGS(th), can be driven directly from a battery ID Max (Note 5) V(BR)DSS Max RDS(on) Low RDS(on) TA = 25 C Lead Free , RoHS Compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 460m @ VGS= 4.5V 0.94A 30V ESD Protect
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History: DMN3900UFA | SSF2418EB
🌐 : EN ES РУ
Liste
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