DMN63D8LDW Todos los transistores

 

DMN63D8LDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN63D8LDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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DMN63D8LDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  diodes
 dmn63d8ldw.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

 6.1. Size:535K  diodes
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DMN63D8LDW

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 6.2. Size:167K  diodes
 dmn63d8lv.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn63d8lw.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

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History: SPD08P06PG | 2SK945 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | QM3006P

 

 
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