DMN63D8LDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMN63D8LDW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для DMN63D8LDW
DMN63D8LDW Datasheet (PDF)
dmn63d8ldw.pdf

DMN63D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &
dmn63d8l.pdf

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip
dmn63d8lv.pdf

DMN63D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
dmn63d8lw.pdf

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D
Другие MOSFET... DMN6070SSD , DMN6075S , DMN6140L , DMN6140LQ , DMN62D0LFB , DMN62D0LFD , DMN62D0SFD , DMN62D1LFD , IRF740 , DMN63D8LV , DMN65D8L , DMN65D8LDW , DMN65D8LFB , DMN65D8LW , DMN7022LFG , DMP1011UCB9 , DMP1012UCB9 .
History: FDFME2P823ZT | DH026N06E | SIHFI9Z24G | VBZE10N20 | NCEP40PT12K | 2SK1142 | CTM04N60
History: FDFME2P823ZT | DH026N06E | SIHFI9Z24G | VBZE10N20 | NCEP40PT12K | 2SK1142 | CTM04N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679