DMN63D8LDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN63D8LDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для DMN63D8LDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN63D8LDW даташит

 ..1. Size:166K  diodes
 dmn63d8ldw.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

 6.1. Size:535K  diodes
 dmn63d8l.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 6.2. Size:167K  diodes
 dmn63d8lv.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn63d8lw.pdf pdf_icon

DMN63D8LDW

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN6070SSD, DMN6075S, DMN6140L, DMN6140LQ, DMN62D0LFB, DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, IRF740, DMN63D8LV, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB, DMN65D8LW, DMN7022LFG, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9