DMN63D8LV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN63D8LV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: SOT-563

 Búsqueda de reemplazo de DMN63D8LV MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DMN63D8LV datasheet

 ..1. Size:167K  diodes
 dmn63d8lv.pdf pdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 6.1. Size:535K  diodes
 dmn63d8l.pdf pdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 6.2. Size:166K  diodes
 dmn63d8ldw.pdf pdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

 6.3. Size:455K  diodes
 dmn63d8lw.pdf pdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... DMN6075S, DMN6140L, DMN6140LQ, DMN62D0LFB, DMN62D0LFD, DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, DMN63D8LDW, IRF840, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB, DMN65D8LW, DMN7022LFG, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9, DMP1018UCB9