Справочник MOSFET. DMN63D8LV

 

DMN63D8LV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN63D8LV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для DMN63D8LV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN63D8LV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  diodes
dmn63d8lv.pdfpdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 6.1. Size:535K  diodes
dmn63d8l.pdfpdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 6.2. Size:166K  diodes
dmn63d8ldw.pdfpdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

 6.3. Size:455K  diodes
dmn63d8lw.pdfpdf_icon

DMN63D8LV

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

Другие MOSFET... DMN6075S , DMN6140L , DMN6140LQ , DMN62D0LFB , DMN62D0LFD , DMN62D0SFD , DMN62D1LFD , DMN63D8LDW , IRF840 , DMN65D8L , DMN65D8LDW , DMN65D8LFB , DMN65D8LW , DMN7022LFG , DMP1011UCB9 , DMP1012UCB9 , DMP1018UCB9 .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.