DMN7022LFG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN7022LFG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: POWERDI3333-8

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DMN7022LFG datasheet

 ..1. Size:324K  diodes
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DMN7022LFG

DMN7022LFG 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25 C 22m @ VGS = 10V 7.8A density end products 75V 28m @ VGS = 4.5V 6.9A Occupies just 33% of the board area oc

 0.1. Size:530K  diodes
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DMN7022LFG

DMN7022LFGQ 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable ID Max BVDSS RDS(ON) Max and Robust End Application TA = +25 C Low RDS(ON) Ensures On-state Losses are Minimized 22m @ VGS = 10V 7.8A 75V Small Form Factor Thermally Efficient Package Enab

Otros transistores... DMN62D0SFD, DMN62D1LFD, DMN63D8LDW, DMN63D8LV, DMN65D8L, DMN65D8LDW, DMN65D8LFB, DMN65D8LW, IRFP460, DMP1011UCB9, DMP1012UCB9, DMP1018UCB9, DMP1022UFDE, DMP1022UFDF, DMP1045UFY4, DMP1046UFDB, DMP1055UFDB