DMN7022LFG Todos los transistores

 

DMN7022LFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN7022LFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI3333-8
 

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DMN7022LFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  diodes
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DMN7022LFG

DMN7022LFG75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25C 22m @ VGS = 10V 7.8A density end products 75V 28m @ VGS = 4.5V 6.9A Occupies just 33% of the board area oc

 0.1. Size:530K  diodes
 dmn7022lfgq.pdf pdf_icon

DMN7022LFG

DMN7022LFGQ 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable ID Max BVDSS RDS(ON) Max and Robust End Application TA = +25C Low RDS(ON) Ensures On-state Losses are Minimized 22m @ VGS = 10V 7.8A 75V Small Form Factor Thermally Efficient Package Enab

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History: 2SK904 | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | IPA60R600P6 | GP2M007A065XG

 

 
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