Справочник MOSFET. DMN7022LFG

 

DMN7022LFG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMN7022LFG
   Маркировка: N72
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI3333-8

 Аналог (замена) для DMN7022LFG

 

 

DMN7022LFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  diodes
 dmn7022lfg.pdf

DMN7022LFG DMN7022LFG

DMN7022LFG75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25C 22m @ VGS = 10V 7.8A density end products 75V 28m @ VGS = 4.5V 6.9A Occupies just 33% of the board area oc

 0.1. Size:530K  diodes
 dmn7022lfgq.pdf

DMN7022LFG DMN7022LFG

DMN7022LFGQ 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable ID Max BVDSS RDS(ON) Max and Robust End Application TA = +25C Low RDS(ON) Ensures On-state Losses are Minimized 22m @ VGS = 10V 7.8A 75V Small Form Factor Thermally Efficient Package Enab

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZVP2120A

 

 
Back to Top