SFM9110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFM9110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: SOT223
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SFM9110 datasheet
sfm9110.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V 2 Lower RDS(ON) 0.912 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristi
sfm9110tf.pdf
SFM9110 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -1.0 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area SOT-223 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -100V 2 n Lower RDS(ON) 0.912 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings
sfm9120.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V 2 Lower RDS(ON) 0.444 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristi
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History: JCS9N95WA | MC08N005C
🌐 : EN ES РУ
Liste
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