DMP56D0UFB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP56D0UFB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.425 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.49 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Encapsulados: X1-DFN1006-3
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DMP56D0UFB datasheet
dmp56d0uv.pdf
Green DMP56D0UV DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Input Capacitance 6 @ VGS = -4 V -160mA -50V Fast Switching Speed 8 @ VGS = -2.5V -120mA Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green De
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