DMP56D0UFB Todos los transistores

 

DMP56D0UFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP56D0UFB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.425 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: X1-DFN1006-3
 

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DMP56D0UFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  diodes
 dmp56d0ufb.pdf pdf_icon

DMP56D0UFB

DMP56D0UFB GreenP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input/Output Leakage 6 @ VGS = -4 V -200mA -50V Fast Switching Speed -160mA 8 @ VGS = -2.5V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green

 6.1. Size:164K  diodes
 dmp56d0uv.pdf pdf_icon

DMP56D0UFB

GreenDMP56D0UVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance 6 @ VGS = -4 V -160mA -50V Fast Switching Speed 8 @ VGS = -2.5V -120mA Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green De

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History: FDFS6N548 | CSD17302Q5A

 

 
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