Справочник MOSFET. DMP56D0UFB

 

DMP56D0UFB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMP56D0UFB
   Маркировка: D3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.425 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: X1-DFN1006-3

 Аналог (замена) для DMP56D0UFB

 

 

DMP56D0UFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  diodes
 dmp56d0ufb.pdf

DMP56D0UFB DMP56D0UFB

DMP56D0UFB GreenP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input/Output Leakage 6 @ VGS = -4 V -200mA -50V Fast Switching Speed -160mA 8 @ VGS = -2.5V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green

 6.1. Size:164K  diodes
 dmp56d0uv.pdf

DMP56D0UFB DMP56D0UFB

GreenDMP56D0UVDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance 6 @ VGS = -4 V -160mA -50V Fast Switching Speed 8 @ VGS = -2.5V -120mA Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green De

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top