DMS05N60 Todos los transistores

 

DMS05N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMS05N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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DMS05N60 Datasheet (PDF)

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DMS05N60

DMS05N60 N-Channel Depletion-Mode MOSFET FEATURES Depletion Mode (Normally On) Advanced Planar Technology Rugged Poly-silicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant/Lead Free ESD Sensitive BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Applications 600V 700 12mA Normally-on Switches SMPS start-up Circuit Linear Amplifier Con

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History: TSM3457CX6 | 2SK2424 | SWN4N65DD | IPC90N04S5-3R6 | GP1M009A090XX | 2P903B | CS6N70FA9D

 

 
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