DMS05N60 Todos los transistores

 

DMS05N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMS05N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de DMS05N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DMS05N60 datasheet

 ..1. Size:615K  bruckewell
 dms05n60.pdf pdf_icon

DMS05N60

DMS05N60 N-Channel Depletion-Mode MOSFET FEATURES Depletion Mode (Normally On) Advanced Planar Technology Rugged Poly-silicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant/Lead Free ESD Sensitive BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Applications 600V 700 12mA Normally-on Switches SMPS start-up Circuit Linear Amplifier Con

Otros transistores... DMP6023LSS , DMP6050SSD , DMP6110SSD , DMP6110SSS , DMP6180SK3 , DMP6185SE , DMP6185SK3 , DMP6250SE , IRFB4227 , DMS2085LSD , DMS2095LFDB , DMS3012SFG , DMS3014SFG , DMS3014SSS , DMS3015SSS , DMS3016SSS , DMS3017SSD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.