DMS05N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMS05N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 700 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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DMS05N60 Datasheet (PDF)
dms05n60.pdf
DMS05N60 N-Channel Depletion-Mode MOSFET FEATURES Depletion Mode (Normally On) Advanced Planar Technology Rugged Poly-silicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant/Lead Free ESD Sensitive BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Applications 600V 700 12mA Normally-on Switches SMPS start-up Circuit Linear Amplifier Con
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Liste
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