DSK3J02 Todos los transistores

 

DSK3J02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSK3J02
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 80 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSSMINI3-F2-B
 

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DSK3J02 Datasheet (PDF)

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DSK3J02

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK3J02Silicon N-channel Junction FETFor impedance conversion in low frequency Features Package Low noise voltage NV Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Drain Packaging 2: Source Embo

Otros transistores... DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , IRLZ44N , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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