DSK3J02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSK3J02
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
Encapsulados: SSSMINI3-F2-B
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DSK3J02 datasheet
dsk3j02.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSK3J02 Silicon N-channel Junction FET For impedance conversion in low frequency Features Package Low noise voltage NV Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Drain Packaging 2 Source Embo
Otros transistores... DN2540 , DN2625 , DN3135 , DN3145 , DN3525 , DN3535 , DN3545 , DN3765 , AON6380 , DSK5J01 , DSK5J01X0L , DSK9J01 , DSKTJ04 , DSKTJ05 , DSKTJ07 , DSKTJ08 , 2SK3591 .
History: UPA1804GR | MEE3716T | MDF5N50FBTH
History: UPA1804GR | MEE3716T | MDF5N50FBTH
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Liste
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