DSK3J02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DSK3J02
Маркировка: 3S_3T_3U
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.002 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 80 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1500 Ohm
Тип корпуса: SSSMINI3-F2-B
DSK3J02 Datasheet (PDF)
dsk3j02.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSK3J02Silicon N-channel Junction FETFor impedance conversion in low frequency Features Package Low noise voltage NV Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSSMini3-F2-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Drain Packaging 2: Source Embo
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .